Institut für Nano- und Mikroelektronische Systeme (INES)

Studien- und Abschlussarbeiten

Übersicht über die aktuellen Studien- und Abschlussarbeiten am INES

Studien- / Bachelor- / Master- und Diplomarbeiten

INES bietet in Zusammenarbeit mit dem Institut für Mikroelektronik Stuttgart (IMS CHIPS) Bachelor- Master- und Doktorarbeiten an, die in der Regel in interessante Verbundforschungs- und Industrieprojekte eingebunden sind.

Folgende Themen können wir zurzeit vergeben

Bachelor- / Studien- / Masterarbeit
Charakterisierung und Modellierung einer Ge-on-Si Photodiode
Motivation
Der Traum von einem selbstfahrenden Auto rückt immer mehr in die Realität des Menschen. Fahrassistent-Systeme unterstützen und übernehmen bereits heutzutage eine Großzahl an Aufgaben während des Fahrbetriebes. Damit eine zuverlässige und sichere Fahrt gewährleistet werden kann, übernimmt die Umwelterkennung eine zentrale Aufgabe im Bereich autonomen Fahren. Um bei Nachtfahrten Personen und Gegenstände erkennen zu können, übernehmen
sogenannte Nachtsicht-Assistenten die Umwelterkennung. Hierfür werden Nachtsichtkameras verwendet, die im Nahen Infrarot (NIR) Bereich arbeiten und typischerweise aus InGaAs hergestellt sind. Das Institut für Halbleitertechnik (IHT) und das Institut für Nano- und Mikroelektronische Systeme (INES) streben in einer Kooperation an diese InGaAs-Photodioden durch Ge-on-Si Photodioden zu ersetzen, um somit eine kosteneffiziente und CMOS kompatible Alternative zu entwickeln.
 
Aufgabenstellung
Es soll eine Charakterisierung der Ge-on-Si Photodioden durchgeführt und daraus ein Modell der Photodiode erarbeitet werden. Hierbei soll untersucht werden, unter welchen Restlichtbedingungen die Ge-on-Si Photodioden ausreichend Photostrom erzeugt, um einer spätere Signalverarbeitung zu ermöglichen. Des Weiteren soll das Signal
-zu-Rauschverhalten untersucht und bewertet werden. Abschließend sollendie Ergebnisse mit kommerziell erhältlichen Photodioden verglichen werden.
 
Der Ablauf der Arbeit ist wie folgt gegliedert:
 
  • Einarbeitung in die Thematik (Literaturrecherche)
  • Einarbeitung in den Messplatz (am IHT)
  • Charakterisierung der Ge-on-Si Photodiode (am IHT + INES)
  • Bewertung der Messergebnisse
  • Vergleich der Ergebnisse mit kommerziellen Photodioden
  • Modellierung der Ge-on-Si Photodiode
  • Dokumentation der Arbeit
Ansprechpartner
Ann-Christin Köllner
Tel: 0711 21855 - 267
 

Bitte beachten:

Neben den hier aufgelisteten Themen bieten wir auch kurzfristig Arbeiten zu unseren aktuellen Forschungsgebieten an.

Bei Interesse nehmen Sie einfach mit Herrn Futterer Kontakt auf.

Kontakt

Ehrenfried  Futterer
 

Ehrenfried Futterer

Studentische Beratung & Lehrveranstaltungen

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