Herr Prof. Dr.-Ing.

Joachim Burghartz

Institutsleitung
Institut für Nano- und Mikroelektronische Systeme (INES)

Kontakt

+49 711 21855 200

Website

Pfaffenwaldring 47
70569 Stuttgart
Deutschland

Joachim N. Burghartz wurde 1956 in Aachen geboren. Er studierte Elektrotechnik an der RWTH Aachen mit Abschluss (1982) Diplom-Ingenieur und promovierte (1987) an der Universität Stuttgart zum Dr.-Ing..

Von 1982 bis 1987 arbeitete er als wissenschaftlicher Mitarbeiter an der Universität Stuttgart an Sensoren mit integrierter Signalumwandlung mit Schwerpunkt Magnetfeldsensoren.

Von 1987 bis 1998 war er am IBM Thomas J, Watson Forschungslabor in Yorktown Heights, New York, wo er zunächst an selektiver Siliziumepitaxie, Si- und SiGe- Hochgeschwindigkeits-Transistordesign und -Integrationsprozessen sowie an CMOS-Technologie arbeitete. Später beschäftigte er sich mit der Entwicklung von passiven Bauelementen, insbesondere integrierter Spulen, hoher Güte auf Silizium.

Von 1998 bis 2005 war er ordentlicher Professor an der TU Delft mit Leitung der High-Frequency Technology and Components (HiTeC) - Forschungsgruppe. Der Schwerpunkt der Forschungsarbeiten lag auf Silizium-HF-Technologie und erstreckte sich von Arbeiten an Werkstoffen bis hin zum Entwurf von Schaltungsbausteinen.

Von März 2001 bis August 2005 war er außerdem wissenschaftlicher Direktor des Delft Institute of Microelectronics and Submicron Technology (DIMES) an der TU Delft.

Seit Oktober 2005 ist Prof. Dr. Burghartz Direktor und Vorsitzender des Vorstands des Instituts für Mikroelektronik Stuttgart (IMS CHIPS) und ordentlicher Professor an der Universität Stuttgart.

Ab dem 1. März 2006 leitet er zudem das Institut für Nano- und Mikroelektronische Systeme (INES) an der Universität Stuttgart.

Seit dem 18. August 2013 ist Prof. Dr. Burghartz Geschäftsführer der IMS Mikro-Nano Produkte GmbH.

Zu seinen beruflichen Auszeichnungen zählen der J.J. Ebers Award 2014 der IEEE Electron Devices Society, der Landesforschungspreis Baden-Württemberg 2009 und der ISSCC Jack Raper Award 2008. Er ist IEEE Fellow, war in den Jahren 2009 bis 2013 Vice President der IEEE Electron Devices Society und war in den Jahren 2001 bis 2006 Associate Editor der IEEE Transactions on Electron Devices. Er war Mitglied der Executive und Technischen Komitees der Fachkonferenzen BCTM (General Chairman 2000), IEDM, ESSDERC, ISICDG, VLSI-TSA, DCIS und SBMICRO. Seine Publikationsliste umfasst 91 Artikel (peer review) in Fachzeitschriften, 244 Veröffentlichungen auf Fachkonferenzen, 3 Bücher, 4 Buchkapitel und 16 Patente (Patentfamilien).
Besonders hervorzuheben ist das von ihm editierte Fachbuch zum 60/35-sten Jubiläum der IEEE Electron Devices Society „Guide to State-of-the-Art Electron Devices“ (Wiley&Sons Publishers), das den 2013 PROSE Award erhielt als bestes Fachbuch des Jahres im Bereich Engineering & Technology.

Dr. Golzar Alavi (U Stuttgart 2019)
Robert Bosch GmbH, Schwieberdingen, Germany


Dr. Yigit Mahsereci, (U Stuttgart 2018) 
IMS CHIPS, Stuttgart, Germany


Dr. Saleh Ferwana (U Stuttgart 2017)
IMS CHIPS, Stuttgart, Germany


Dr. Moustafa Nawito (U Stuttgart 2017)
PolyMath Analog, Stuttgart, Germany


Dr. Michael Jurisch (U Stuttgart 2017)
IMS CHIPS, Stuttgart, Germany


Dr. Mahadi-Ul Hassan (U Stuttgart 2017)
TDK Seicos, München, Germany


Dr. Shen-Huei Sun (U Stuttgart 2015)
IMS CHIPS, Stuttgart, Germany


Dr. Fabian Utermöhlen (U Stuttgart 2015)
Robert Bosch GmbH, Stuttgart, Germany


Dr. Tarek Hussein (U Stuttgart 2015)
Robert Bosch GmbH, Reutlingen, Germany


Dr. Tarek Zaki (U Stuttgart 2014)
Robert Bosch GmbH, Reutlingen, Germany


Dr. Daniel Etter (U Stuttgart 2014)
Infineon Technologies AG, München, Germany


Dr. Yipin Zhang (U Stuttgart 2013)
Intel, München, Germany


Dr. Nicoleta Wacker (U Stuttgart 2013)


Dr. Jun Tian (TU Delft 2013)
Mapper Lithography, Netherlands


Dr. Stefan Endler (U Stuttgart 2012)
Robert Bosch GmbH, Reutlingen, Germany


Dr. Evangelos Angelopoulos (U Stuttgart 2011)
Infineon Technologies AG, München, Germany


Dr. Ali Asif (U Stuttgart 2011)
GC University, Department of Physics, Lahore, Pakistan


Prof. Koen Buismann (TU Delft 2011)
Chalmers University, Sweden


Dr. Yue Ma (TU Delft 2011)
Mapper Lithography, Netherlands


Prof. Huseyin Sagkol (TU Delft 2011)
Fatih University, Turkey


Dr. Saoer Sinaga (TU Delft 2010)
Philips, Netherlands


Dr. Martin Zimmermann (U Stuttgart 2010)
IMS CHIPS, Stuttgart, Germany


Dr. Cong Huang (TU Delft 2010)
TU Delft, Netherlands


Dr. Edmund Neo (TU Delft 2010)
NXP, Netherlands


Dr. Theodoros Zoumpoulidis (TU Delft 2010)
TU Delft, Netherlands


Dr. Pedram Khalili Amiri (TU Delft 2008)
University of California at Los Angeles (UCLA), USA


Dr. Marina Vroubel
NXP, Netherlands


Prof. Yan Zhuang
Wright State University, Dayton, Ohio, USA


Dr. Hsien-Chen Wu (TU Delft 2007)
Texas-Instruments, Dallas, USA


Dr. Alexander Polyakov (TU Delft 2006)
Alpha Media Group


Dr. Vittorio Cuoco (TU Delft 2006)
NXP, Netherlands


Dr. Marco Spirito (TU Delft 2006)
TU Delft, Netherlands


Dr. Mark van der Heijden (TU Delft 2005)
NXP Research, Netherlands


Dr. Ronald Dekker (TU Delft 2004)
Philips Research, Netherlands


Dr. Pham Phuong Nga (TU Delft 2003)
Imec, Belgium

  • IEEE Electron Devices Society´s J. J. Ebers Award 2014

  • PROSE Award 2013 (informations about "Guide to State-of-the-Art Electron Devices")

  • Landesforschungspreis Baden-Württemberg 2009
    (Landesforschungspreis für Angewandte Forschung)

  • IEEE ISSCC Jack Raper Award for Outstanding Technology Directions Paper (2008)

  • ESSDERC Best Paper Award (1992)

  • IBM Technical Achievement Awards (1990 and 1994)

  • IBM Technical Disclosure Achievement Awards (4 awards in total)
  • IEEE Cledo Brunetti Awards Committee (2005 - 2008)

  • IEEE Fellow (since 2001)

  • IEEE Electron Devices Society (EDS)
    • Executive Committee (since 2009)
    • Vice President Technical Activities (since 2009)
    • Distinguished Lecturer
    • Board of Governors (BoG; formerly AdCom; since 2005)
    • Associate Editor IEEE Transactions on Electron Devices (2001-2006)
    • Technical Activities Committee (2006-2009)
    • Region/Chapters Committee (since 2006)
    • Meetings Committee (since 2009)
    • Newsletter Committee (since 2013)
    • Publications Committee (since 2009)
    • EDS Germany Chapter Chair (ad interim; since 2009)

  • IEEE Technical conference committee member (list incomplete)
    • BCTM (1996-2001)
    • ESSDERC (since 1998)
    • IEDM (1993-95 and 1998-99)
    • ISCDG (since 2001)
    • SiRF (2003-2007)
    • TSA-VLSI (since 2011)
    • DCIS (2006, 2009)
    • MST Congress (since 2001)
    • SBMicro (2014)

  • microTEC Südwest (MST Excellence Cluster, Germany)
    • Member Cluster Board
    • Coordinator MST production platform PRONTO
  • 1st Self-aligned SiGe bipolar transistor (1989)
  • 1st  AC characteristicsof SiGe bipolar transistor (1990)
  • 1st  SiGe bipolar circuit demonstration (1990)

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Back row: Joachim Burghartz, Jim Comfort, Eduard de Frésart, Emmanuel Crabbé
Middle row: Gary Patton, Jack Sun
Front row: Hans Stork, David Harame

Milestones with key references:

Reduction of coil metal losses

  • J.N. Burghartz, D.C. Edelstein, K.A. Jenkins, C. Jahnes, C.Uzoh, E.J. O'Sullivan, K.K. Chan, M. Soyuer, P. Roper, S. Cordes,
  • "Monolithic spiral inductors fabricated using a VLSI Cu-damascene interconnect technology and low-loss substrates",
    Techn. Dig. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 1996, pp. 99-102.
  • J.N. Burghartz, B. Rejaei, H. Schellevis, "Saddle add-on metallization for RF-IC technology",
    IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 51, no. 3, 2004, pp. 460-466.

 

Reduction of substrate losses

  • J.N. Burghartz, "Progress in RF inductors on silicon-understanding substrate losses",
    IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 1998, pp. 523-526.
  • B. Rong, J.N. Burghartz, L.K. Nanver, B. Rejaei, M. van der Zwan,
    "Surface-passivated high-resistivity silicon substrates for RFICs,
    IEEE Electron Devices Letters, vol. 25, no.4, 2004, pp. 176-178.

 

Inductor integration processes

  • J.N. Burghartz, M. Soyuer, K.A. Jenkins, M.D. Hulvey,
    "High-Q inductors in standard silicon interconnect technology and its application to an integrated RF power amplifier",
    Techn. Dig. International Electron Devices Meeting (IEDM), 1995, pp. 1015-1018.
  • N.P. Pham, K.T. Ng, M. Bartek, P.M. Sarro, B. Rejaei, J.N. Burghartz,
    "A micromachining post-process module for RF silicon technology",
    Techn. Dig. IEEE International Electron Devices Meeting", 2000, pp. 481-484.

 

Special inductor structures

  • J.N. Burghartz, K.A. Jenkins, M. Soyuer,
    "Multilevel-spiral inductors using VLSI interconnect technology",
    IEEE Electron Device Letters, vol. 17, no. 9, 1996, pp. 428-430.
  • J.N. Burghartz, A.E. Ruehli, K.A. Jenkins, M. Soyuer, D. Nguyen-Ngoc,
    "Novel substrate contact structure for high-Q silicon-integrated spiral inductors",
    1997, pp. 55-58.

 

Ferromagnetic core structures

  • Y. Zhuang, M. Vroubel, B. Rejaei, J.N. Burghartz,
    "Ferromagnetic RF inductors and transformers for standard CMOS/BiCMOS",
    Techn. Dig. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2002, pp. 475-478.
  • M. Vroubel, Y. Zhuang, B. Rejaei, J.N. Burghartz,
    "Integrated tunable magnetic RF inductor",
    IEEE Electron Device Letters, vol. 25, no. 12, 2004, pp. 787-789.

 

Compact inductor design

  • J.N. Burghartz, B. Rejaei,
    "On the design of RF spiral inductors on silicon",
    IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 50, no. 3, 2003, pp. 718-729.
  • J.N. Burghartz, D. Edelstein, M. Soyuer, H. Ainspan, K.A. Jenkins,
    "RF circuit design aspects of spiral inductors on silicon",
    Dig. Techn. P. IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), 1998, pp. 246-247.

 

Themal effects

  • H. Sagkol, B. Rejaei, J.N. Burghartz,
    "Thermal Issues in Micromachined Spiral Inductors for High-Power Applications",
    IEEE Transaction on Electron Devices, vol. 55, no. 11, 2008, pp. 3288-3294.

 

Tutorial

  • J. Burghartz,
    "RF passives on silicon - the intended and the unintended",
    IEEE Expert Now Course Catalog

Bits&Chips March 2017

„Truth-Resistant Universal Micro Processor“


Bits&Chips July 2016

„Micro-GaN voor macro-power“


Bits&Chips September 2015

„Onderzoeker, wat is jouw v-factor?“


Bits&Chips April 2014

„Nanospijkerschrift“


pdficon_large Bits&Chips March 2013

„Ik ben toch niet gek“


Bits&Chips August 2012

„Masterplan DIMES“


Bits&Chips February 2011

„Waterlelies“


Bits&Chips May 2010

„Campus“


Bits&Chips December 2009

„Dr. ind.“


Bits&Chips June 2009

„Macro-elektronica“


Bits&Chips March 2009

„Plastic valleien“


Bits&Chips December 2008

„Spitzencluster“


Bits&Chips June 2008

„Nadeelurenkaart“


Bits&Chips February 2008

„Wedergeboorte van de gate array“


Bits&Chips September 2007

„De grote en kleine wereld van beeldsensoren“


Bits&Chips May 2007

„Het recept voor toponderzoek“


Bits&Chips October 2006

„Siliciumjasjes“


Bits&Chips March 2006

„Knopje in het oor“


Bits&Chips January 2005

„Micro-eletronica naar het bejaardenhuis?“


Bits&Chips May 2004

„Wet van Moore recyclen“


Bits&Chips November 2003

„Bipolaire transistor heeft de toekomst“


Bits&Chips May 2002

„Communicatie wordt drijvende kracht chipproductietechnologie“

Mechatronica&Machinebouw May 2014

„Duitse spitzencluster moeten uitvliegen“


Mechatronica Magazine March 2010

„Campus“


books-state

Präzise, qualitativ hochwertige Bewertung der neuesten Entwicklungen, Herstellung und Anwendungen im Bereich elektronische Bauteile.

Guide to State-of-the-Art Electron Devices erscheint anlässlich dem 60. Jahrestag des IRE Electron Sevices Committee und dem 35. Jahrestag der IEEE Electron Devices Society und präsentiert eine aktuelle Bewertung des Bereichs elektronische Bauteile sowie künftige Entwicklungen in der gesamten Branche.

  • Thematisiert den gesamten Bereich der elektronischen Bauteile, wie z. B. Photovoltaik-Anlagen, Halbleiterherstellung und VLSI-Technologie und –schaltungen- alle Teil der IEEE Electron and Devices Society.
    Mit Beiträgen aus der gesamten internationalen Electron Device-Community.
  • Enthält ein voll integriertes farblich gekennzeichnetes Nachschlagewerk mit Seitenleisten, die wichtige Begriffe hervorheben.
  • Historisch entscheidende Entwicklungen und absehbare Trends werden diskutiert, damit ein Gesamtbild der enthaltenen Themen entsteht.

IEEE`s „Guide to State-of-the-Art Electron Devices“ wurde von Prof. Dr. Joachim Burghartz veröffentlicht und am 6. Februar 2014 in der Kategorie Engineering & Technology mit dem PROSE Award 2013 ausgezeichnet.

Guide to State-of-the-Art Electron Devices



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Ultra-thin Chip Technology and Applications wurde herausgegeben von: Joachim N. Burghartz. Ultradünne Chiptechnologie kann Lösungen für Engpässe in der Siliziumtechnologie beseitigen und neue Anwendungen möglich machen. In diesem Buch ist dargestellt, wie sehr dünne und flexible Chips hergestellt werden und in vielen neuen Anwendungen, unter anderem in den Bereichen Mikroelektronik, Mikrosysteme und Biomedizin eingesetzt werden. Es enthält umfassende Informationen zur Herstellungstechnologie, Post-Processing, Aufbau, Charakterisierung, Formgebung und Anwendungen von ultradünnen Chips.

  • Durch die Veröffentlichung ihrer aktuellsten Ergebnisse und Ideen bieten weltweit führende Forscher auf diesem Gebiet einen umfassender Überblick über die Herausforderungen in der Herstellung ultradünner Chips, dem Post-Processing, deren Eigenschaften und Anwendungsmöglichkeiten.
  • Es werden die Vor- und Nachteile der drei generischen Herstellungsverfahren für ultradünne Chips verglichen.
  • Außerdem werden die elektronischen, mechanischen, optischen und thermischen Eigenschaften von ultradünnen Chips gegenüber denen der konventionellen dicken Chips gegeneinander gestellt.
  • Es wird gezeigt, dass die Technologie der ultradünnen Chips und ihre Anwendungen ein wegweisendes Beispiel für künftige Entwicklungen in der Siliziumtechnologie sind.

Ultra-thin Chip Technology and Applications

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